Les États membres doivent veiller à ce que les informations fournies par les autorités compétentes soient respectées.
Les spécifications
Catégorie:
Circuits intégrés (CI)
La mémoire
La mémoire
Taille de mémoire:
576 Mbit
Statut du produit:
Dépassé
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Produits en vrac
Série:
-
DigiKey est programmable:
Pas vérifié
Interface de mémoire:
HSTL
Écrire le temps du cycle - mot, page:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Les pièces de rechange doivent être équipées d'un dispositif de rechange.
Type de mémoire:
Les produits de base
Mfr:
RENESAS
Fréquence d'horloge:
533 mégahertz
Voltage - alimentation:
1.7V à 1.9V
Temps d'accès:
300 ch
Emballage / boîtier:
144-TBGA
Organisation de la mémoire:
32 M x 18
Température de fonctionnement:
0°C | 95°C (COMITÉ TECHNIQUE)
Technologie:
Résistance à l'usure
Numéro du produit de base:
UPD48576118 (en anglais seulement)
Format de mémoire:
DRAM
Introduction
La mémoire LLDRAM IC 576Mbit HSTL 533 MHz 300 ps 144-TFBGA (11x18.5) est utilisée pour les téléchargements à distance.
Produits connexes
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Pour les appareils à commande numérique:
HN58C256 - PARALLEL 256KBIT EEPR
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Les États membres doivent veiller à ce que les informations fournies par les autorités compétentes soient respectées.
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
![qualité [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif)
Les États membres doivent veiller à ce que les informations fournies par les autorités compétentes soient respectées.
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
![qualité [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif)
R1LV0108ESA-5SI#B1
R1LV0108E - 1Mb Advanced LPSRAM
![qualité [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif)
R1LV1616HSA-5SI#B1
R1LV1616HSA - Wide Temperature R
![qualité [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif)
HN58C257AT85E, dont le numéro d'immatriculation est HN58C257AT85E
HN58C257 - PARALLEL 256KBIT EEPR
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Les produits de l'annexe I sont classés dans les catégories suivantes:
STANDARD SRAM, 128KX8, 70NS, CMO
![qualité [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif)
R1WV6416RBG-5SI#B0
R1WV6416RBG-5SI - Low Power SRAM
![qualité [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif)
HN58V66ATI10E, pour les véhicules à moteur électrique
HN58V66 - PARALLEL 64KBIT EEPROM
![qualité [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif)
R1LP5256ESA-5SI#S1
R1LP5256 - 256Kb Advanced LPSRAM
![qualité [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif)
R1RW0416DSB-2PI#D1
R1RW0416D-I - Wide Temperature R
![qualité [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif)
R1LP5256ESA-5SI#B1
R1LP5256 - 256Kb Advanced LPSRAM
![qualité [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif)
UPD48288236AF1-E24-DW1-A: les données sont fournies par les autorités compétentes.
IC DRAM 288MBIT HSTL 144TFBGA
![qualité [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif)
M5M5V108DKV-70HIST, qui a été détecté par les services de renseignement.
STANDARD SRAM, 128KX8, 70NS, CMO
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Le stock:
Nombre de pièces: