R1WV6416RBG-5SI#B0
Les spécifications
Catégorie:
Circuits intégrés (CI)
La mémoire
La mémoire
Statut du produit:
Dépassé
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Produits en vrac
Série:
-
Interface de mémoire:
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:
55 ans
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Pour les appareils à commande numérique, les caractéristiques suivantes sont applicables:
Type de mémoire:
Les produits de base
Mfr:
RENESAS
Taille de mémoire:
64 Mbit
Voltage - alimentation:
2.7V à 3.6V
Emballage / boîtier:
48-TFBGA
Organisation de la mémoire:
4M x 16, 8M x 8
Température de fonctionnement:
-40°C à 85°C (TA)
Technologie:
SRAM - Asynchrone
Temps d'accès:
55 ns
Format de mémoire:
SRAM
Introduction
SRAM - mémoire asynchrone IC 64 Mbit parallèle 55 ns 48-TFBGA (8,5x11)
Produits connexes
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Pour les appareils à commande numérique:
HN58C256 - PARALLEL 256KBIT EEPR
![qualité [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif)
Les États membres doivent veiller à ce que les informations fournies par les autorités compétentes soient respectées.
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
![qualité [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif)
Les États membres doivent veiller à ce que les informations fournies par les autorités compétentes soient respectées.
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
![qualité [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif)
R1LV0108ESA-5SI#B1
R1LV0108E - 1Mb Advanced LPSRAM
![qualité [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif)
R1LV1616HSA-5SI#B1
R1LV1616HSA - Wide Temperature R
![qualité [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif)
HN58C257AT85E, dont le numéro d'immatriculation est HN58C257AT85E
HN58C257 - PARALLEL 256KBIT EEPR
![qualité [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif)
Les produits de l'annexe I sont classés dans les catégories suivantes:
STANDARD SRAM, 128KX8, 70NS, CMO
![qualité [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif)
HN58V66ATI10E, pour les véhicules à moteur électrique
HN58V66 - PARALLEL 64KBIT EEPROM
![qualité [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif)
R1LP5256ESA-5SI#S1
R1LP5256 - 256Kb Advanced LPSRAM
![qualité [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif)
R1RW0416DSB-2PI#D1
R1RW0416D-I - Wide Temperature R
Image | partie # | Définition | |
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![]() |
Pour les appareils à commande numérique: |
HN58C256 - PARALLEL 256KBIT EEPR
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Les États membres doivent veiller à ce que les informations fournies par les autorités compétentes soient respectées. |
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
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Les États membres doivent veiller à ce que les informations fournies par les autorités compétentes soient respectées. |
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
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R1LV0108ESA-5SI#B1 |
R1LV0108E - 1Mb Advanced LPSRAM
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R1LV1616HSA-5SI#B1 |
R1LV1616HSA - Wide Temperature R
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HN58C257AT85E, dont le numéro d'immatriculation est HN58C257AT85E |
HN58C257 - PARALLEL 256KBIT EEPR
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![]() |
Les produits de l'annexe I sont classés dans les catégories suivantes: |
STANDARD SRAM, 128KX8, 70NS, CMO
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HN58V66ATI10E, pour les véhicules à moteur électrique |
HN58V66 - PARALLEL 64KBIT EEPROM
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R1LP5256ESA-5SI#S1 |
R1LP5256 - 256Kb Advanced LPSRAM
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R1RW0416DSB-2PI#D1 |
R1RW0416D-I - Wide Temperature R
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