Les États membres doivent veiller à ce que les informations fournies par les autorités compétentes soient respectées.
Les spécifications
Catégorie:
Circuits intégrés (CI)
La mémoire
La mémoire
Taille de mémoire:
576 Mbit
Statut du produit:
Dépassé
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Produits en vrac
Série:
-
DigiKey est programmable:
Pas vérifié
Interface de mémoire:
HSTL
Écrire le temps du cycle - mot, page:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Les pièces de rechange doivent être équipées d'un dispositif de rechange.
Type de mémoire:
Les produits de base
Mfr:
RENESAS
Fréquence d'horloge:
400 MHz
Voltage - alimentation:
1.7V à 1.9V
Emballage / boîtier:
144-TBGA
Organisation de la mémoire:
64 M x 9
Température de fonctionnement:
0°C | 95°C (COMITÉ TECHNIQUE)
Technologie:
Résistance à l'usure
Numéro du produit de base:
UPD48576209 (en anglais seulement)
Format de mémoire:
DRAM
Introduction
La mémoire LLDRAM IC 576Mbit HSTL 400 MHz 144-TFBGA (11x18.5)
Produits connexes
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Pour les appareils à commande numérique:
HN58C256 - PARALLEL 256KBIT EEPR
![qualité [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif)
Les États membres doivent veiller à ce que les informations fournies par les autorités compétentes soient respectées.
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
![qualité [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif)
R1LV0108ESA-5SI#B1
R1LV0108E - 1Mb Advanced LPSRAM
![qualité [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif)
R1LV1616HSA-5SI#B1
R1LV1616HSA - Wide Temperature R
![qualité [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif)
HN58C257AT85E, dont le numéro d'immatriculation est HN58C257AT85E
HN58C257 - PARALLEL 256KBIT EEPR
![qualité [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif)
Les produits de l'annexe I sont classés dans les catégories suivantes:
STANDARD SRAM, 128KX8, 70NS, CMO
![qualité [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif)
R1WV6416RBG-5SI#B0
R1WV6416RBG-5SI - Low Power SRAM
![qualité [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif)
HN58V66ATI10E, pour les véhicules à moteur électrique
HN58V66 - PARALLEL 64KBIT EEPROM
![qualité [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif)
R1LP5256ESA-5SI#S1
R1LP5256 - 256Kb Advanced LPSRAM
![qualité [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif)
R1RW0416DSB-2PI#D1
R1RW0416D-I - Wide Temperature R
Image | partie # | Définition | |
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![]() |
Pour les appareils à commande numérique: |
HN58C256 - PARALLEL 256KBIT EEPR
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Les États membres doivent veiller à ce que les informations fournies par les autorités compétentes soient respectées. |
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
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R1LV0108ESA-5SI#B1 |
R1LV0108E - 1Mb Advanced LPSRAM
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R1LV1616HSA-5SI#B1 |
R1LV1616HSA - Wide Temperature R
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HN58C257AT85E, dont le numéro d'immatriculation est HN58C257AT85E |
HN58C257 - PARALLEL 256KBIT EEPR
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Les produits de l'annexe I sont classés dans les catégories suivantes: |
STANDARD SRAM, 128KX8, 70NS, CMO
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R1WV6416RBG-5SI#B0 |
R1WV6416RBG-5SI - Low Power SRAM
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HN58V66ATI10E, pour les véhicules à moteur électrique |
HN58V66 - PARALLEL 64KBIT EEPROM
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R1LP5256ESA-5SI#S1 |
R1LP5256 - 256Kb Advanced LPSRAM
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R1RW0416DSB-2PI#D1 |
R1RW0416D-I - Wide Temperature R
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