R1RW0416DSB-2PI#D1
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fabricant:
RENESAS
Définition:
R1RW0416D-I - Température élevée R
Catégorie:
La mémoire
Les spécifications
Catégorie:
Circuits intégrés (CI)
La mémoire
La mémoire
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Produits en vrac
Série:
R1RW0416DI
Interface de mémoire:
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:
12ns
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
44-TSOP II
Type de mémoire:
Les produits de base
Mfr:
RENESAS
Taille de mémoire:
4Mbit
Voltage - alimentation:
3V à 3,6V
Emballage / boîtier:
44-TSOP (0,400", largeur de 10.16mm)
Organisation de la mémoire:
256K x 16
Température de fonctionnement:
-40°C à 85°C (TA)
Technologie:
SRAM - Asynchrone
Temps d'accès:
12 ns
Format de mémoire:
SRAM
Introduction
SRAM - Circuit intégré de mémoire asynchrone 4Mbit parallèle 12 ns 44-TSOP II
Produits connexes
Pour les appareils à commande numérique:
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Les États membres doivent veiller à ce que les informations fournies par les autorités compétentes soient respectées.
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
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IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
R1LV0108ESA-5SI#B1
R1LV0108E - 1Mb Advanced LPSRAM
R1LV1616HSA-5SI#B1
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HN58C257AT85E, dont le numéro d'immatriculation est HN58C257AT85E
HN58C257 - PARALLEL 256KBIT EEPR
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| Image | partie # | Définition | |
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Pour les appareils à commande numérique: |
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Les États membres doivent veiller à ce que les informations fournies par les autorités compétentes soient respectées. |
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