Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'échantillon.
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fabricant:
La société Insignis Technology
Définition:
DDR4 4GB X8 2666MHZ CL19 7.5X10.
Catégorie:
La mémoire
Les spécifications
Catégorie:
Circuits intégrés (CI)
La mémoire
La mémoire
Taille de mémoire:
4Gbit
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Plateau
Série:
N.D.Q. 48P
Interface de mémoire:
COSSE
Écrire le temps du cycle - mot, page:
15 ans
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Pour les appareils à commande numérique, les caractéristiques suivantes doivent être respectées:
Type de mémoire:
Les produits de base
Mfr:
La société Insignis Technology
Fréquence d'horloge:
1,333 gigahertz
Voltage - alimentation:
1.14V à 1.26V
Emballage / boîtier:
78-TFBGA
Organisation de la mémoire:
512M x 8
Température de fonctionnement:
-40°C à 95°C (TC)
Technologie:
SDRAM - DDR4
Temps d'accès:
18 NS
Format de mémoire:
DRAM
Introduction
SDRAM - mémoire DDR4 IC 4Gbit POD 1.333 GHz 18 ns 78-FBGA (7.5x10.6)
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Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'échantillon.
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Le dépôt de l'échantillon doit être effectué à l'aide d'un dispositif de dépôt de l'échantillon.
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96FBGA
| Image | partie # | Définition | |
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NDL86PFG-8KET TR |
DDR3L 8GB X16 FBGA 9X13(X1.2) 16
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Les données sont fournies à l'échantillon. |
DDR4 4GB X8 2400MHZ CL16 7.5X10.
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NDS76PT5-16IT TR |
IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
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Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'échantillon. |
DDR4 8GB X16 FBGA 7.5X13 (X1.2)
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NDL88PFO-9MIT TR |
DDR3L 8GB X8 FBGA 9X10.6(X1.2) 1
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Le nombre de points d'intervention est déterminé par la méthode suivante: |
DDR4 4GB X8 2400MHZ CL16 7.5X10.
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Le dépôt de l'échantillon doit être effectué à l'aide d'un dispositif de dépôt de l'échantillon. |
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