Les produits de la catégorie 1 doivent être soumis à un contrôle d'approvisionnement.
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fabricant:
Rochester Electronics, LLC
Définition:
R5F51305BDFP#50 - 8 Mb L avancée
Catégorie:
La mémoire
Les spécifications
Catégorie:
Circuits intégrés (CI)
La mémoire
La mémoire
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Produits en vrac
Série:
-
Interface de mémoire:
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:
45ns
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
44-TSOP II
Type de mémoire:
Les produits de base
Mfr:
Rochester Electronics, LLC
Taille de mémoire:
8Mbit
Voltage - alimentation:
2.7V à 3.6V
Emballage / boîtier:
44-TSOP (0,400", largeur de 10.16mm)
Organisation de la mémoire:
1M x 8
Température de fonctionnement:
-40°C à 85°C (TA)
Technologie:
SRAM - Asynchrone
Temps d'accès:
45 ns
Format de mémoire:
SRAM
Introduction
SRAM - mémoire asynchrone IC 8Mbit parallèle 45 ns 44-TSOP II
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| Image | partie # | Définition | |
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