RMWV6416AGSA-5S2#AA0
Les spécifications
Catégorie:
Circuits intégrés (CI)
La mémoire
La mémoire
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Produits en vrac
Série:
-
Interface de mémoire:
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:
55 ans
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
48-TSOP I
Type de mémoire:
Les produits de base
Mfr:
Rochester Electronics, LLC
Taille de mémoire:
64 Mbit
Voltage - alimentation:
2.7V à 3.6V
Emballage / boîtier:
48-TFSOP (0,724", largeur de 18,40 mm)
Organisation de la mémoire:
4M x 16
Température de fonctionnement:
-40°C à 85°C (TA)
Technologie:
SRAM - Asynchrone
Temps d'accès:
55 ns
Format de mémoire:
SRAM
Introduction
SRAM - mémoire asynchrone IC 64Mbit parallèle 55 ns 48-TSOP I
Produits connexes
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Le système de contrôle de l'équipement doit être équipé d'un système de contrôle de l'équipement.
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S25FL128S - (16-MB), 3.0 V FL-L
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Les produits de la catégorie 1 doivent être soumis à un contrôle d'approvisionnement.
R5F51305BDFP#50 - 8Mb Advanced L
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RMLV0414EGSB-4S2#HA1
RMLV0414EGS - 4Mb Advanced LPSRA
Image | partie # | Définition | |
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Le système de contrôle de l'équipement doit être équipé d'un système de contrôle de l'équipement. |
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RMLV0414EGSB-4S2#HA1 |
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