MT4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E5E5E5E5E5E5E5E5E5E
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fabricant:
Micron Technology Inc.
Définition:
Les données de base sont fournies par le système d'exploitation.
Catégorie:
La mémoire
Les spécifications
Catégorie:
Circuits intégrés (CI)
La mémoire
La mémoire
Taille de mémoire:
1Gbit
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Produits en vrac
Série:
Automobile, AEC-Q100
DigiKey est programmable:
Pas vérifié
Interface de mémoire:
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:
15 ans
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
60-VFBGA (8x9)
Type de mémoire:
Les produits de base
Mfr:
Micron Technology Inc.
Fréquence d'horloge:
200 MHz
Voltage - alimentation:
1.7V ~ 1.95V
Temps d'accès:
5 ans
Emballage / boîtier:
60-VFBGA
Organisation de la mémoire:
64M x 16
Température de fonctionnement:
-40°C à 85°C (TA)
Technologie:
SDRAM - LPDDR mobile
Numéro du produit de base:
MT4603
Format de mémoire:
DRAM
Introduction
SDRAM - mémoire mobile LPDDR IC 1Gbit parallèle 200 MHz 5 ns 60-VFBGA (8x9)
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