MT5E256M32D2FW-046 WT:B
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fabricant:
Micron Technology Inc.
Définition:
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre.
Catégorie:
La mémoire
Les spécifications
Catégorie:
Circuits intégrés (CI)
La mémoire
La mémoire
Taille de mémoire:
8Gbit
Statut du produit:
La dernière fois que j'ai acheté
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Boîte
Série:
-
DigiKey est programmable:
Pas vérifié
Interface de mémoire:
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:
18ns
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
200-TFBGA (10x14.5)
Type de mémoire:
Les produits de base
Mfr:
Micron Technology Inc.
Fréquence d'horloge:
2,133 gigahertz
Voltage - alimentation:
1.06V | 1.17V
Emballage / boîtier:
200-TFBGA
Organisation de la mémoire:
256 M x 32
Température de fonctionnement:
-30°C | 85°C (COMITÉ TECHNIQUE)
Technologie:
SDRAM - LPDDR4X mobile
Temps d'accès:
3,5 NS
Format de mémoire:
DRAM
Introduction
SDRAM - mémoire mobile LPDDR4X IC 8Gbit parallèle 2,133 GHz 3,5 ns 200-TFBGA (10x14.5)
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