Le code de conduite est le W631GG6NB-15
Les spécifications
Catégorie:
Circuits intégrés (CI)
La mémoire
La mémoire
Taille de mémoire:
1Gbit
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Plateau
Série:
-
DigiKey est programmable:
Pas vérifié
Interface de mémoire:
Résultats des tests
Écrire le temps du cycle - mot, page:
15 ans
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Le système de réglage de la fréquence de l'aéronef doit être équipé d'un système de réglage de la fr
Type de mémoire:
Les produits de base
Mfr:
Électronique Winbond
Fréquence d'horloge:
667 MHz
Voltage - alimentation:
1.425V | 1.575V
Temps d'accès:
20 ns
Emballage / boîtier:
96-VFBGA
Organisation de la mémoire:
64M x 16
Température de fonctionnement:
0°C | 95°C (COMITÉ TECHNIQUE)
Technologie:
SDRAM - DDR3
Numéro du produit de base:
Le numéro de série W631GG6
Format de mémoire:
DRAM
Introduction
La mémoire de type SDRAM - DDR3 IC 1Gbit SSTL_15 667 MHz 20 ns 96-VFBGA (7,5x13)
Produits connexes
![qualité [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif)
Les données sont fournies par les autorités compétentes.
IC FLASH 2GBIT ONFI 63VFBGA
![qualité [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif)
Le numéro de série est le numéro de série de l'appareil
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
![qualité [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif)
Les produits doivent être présentés dans les conditions suivantes:
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
![qualité [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif)
Le nombre d'heures de travail est calculé en fonction du nombre de heures de travail.
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
![qualité [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif)
Les données de l'échantillon sont fournies à l'aide de la méthode suivante:
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
![qualité [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif)
Le nombre d'heures de travail est déterminé par le nombre de heures de travail.
IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
![qualité [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif)
Les produits de la catégorie 1 doivent être présentés dans la catégorie 1 de la présente annexe.
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
![qualité [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif)
Le numéro de série est le W971GG8NB25
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
![qualité [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif)
W9812G6KH-5I
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
![qualité [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif)
Le code de l'établissement est le code de l'établissement.
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
Image | partie # | Définition | |
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![]() |
Les données sont fournies par les autorités compétentes. |
IC FLASH 2GBIT ONFI 63VFBGA
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Le numéro de série est le numéro de série de l'appareil |
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
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Les produits doivent être présentés dans les conditions suivantes: |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
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Le nombre d'heures de travail est calculé en fonction du nombre de heures de travail. |
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
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Les données de l'échantillon sont fournies à l'aide de la méthode suivante: |
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
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Le nombre d'heures de travail est déterminé par le nombre de heures de travail. |
IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
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Les produits de la catégorie 1 doivent être présentés dans la catégorie 1 de la présente annexe. |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
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Le numéro de série est le W971GG8NB25 |
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
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W9812G6KH-5I |
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
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Le code de l'établissement est le code de l'établissement. |
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
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