Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.
Les spécifications
Catégorie:
Circuits intégrés (CI)
La mémoire
La mémoire
Taille de mémoire:
36Mbit
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
DigiKey est programmable:
Pas vérifié
Interface de mémoire:
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Le nombre d'équipements utilisés est le suivant:
Type de mémoire:
Les produits de base
Mfr:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Fréquence d'horloge:
117 mégahertz
Voltage - alimentation:
3.135V à 3.465V
Temps d'accès:
7,5 NS
Emballage / boîtier:
100-LQFP
Organisation de la mémoire:
2M x 18
Température de fonctionnement:
-40°C à 85°C (TA)
Technologie:
SRAM - Synchrone, DTS
Numéro du produit de base:
Le nombre de personnes concernées par l'application de la présente directive est fixé par le règleme
Format de mémoire:
SRAM
Introduction
SRAM - mémoire IC SDR synchrone 36 Mbit parallèle 117 MHz 7,5 ns 100-LQFP (14x20)
Produits connexes
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Les États membres doivent communiquer à l'autorité compétente les informations suivantes:
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Les produits de l'Union sont soumis à des contrôles d'éthique.
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![qualité [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif)
Les données sont fournies par les autorités compétentes.
IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
![qualité [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif)
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Les États membres doivent communiquer à l'autorité compétente les informations suivantes:
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Pour les appareils à commande numérique:
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Le produit doit être présenté dans un emballage de qualité supérieure.
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IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96TWBGA
![qualité [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif)
Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'étiquette.
IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
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