Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre.
Les spécifications
Catégorie:
Circuits intégrés (CI)
La mémoire
La mémoire
Taille de mémoire:
8Gbit
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Plateau
Série:
-
DigiKey est programmable:
Pas vérifié
Interface de mémoire:
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:
35ns
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
48-TSOP
Type de mémoire:
Non volatils
Mfr:
Électronique Winbond
Fréquence d'horloge:
40 MHz
Voltage - alimentation:
1.7V ~ 1.95V
Temps d'accès:
35 ns
Emballage / boîtier:
48-TFSOP (0,724", largeur de 18,40 mm)
Organisation de la mémoire:
1G x 8
Température de fonctionnement:
-40°C à 85°C (TA)
Technologie:
Les produits de la catégorie 1 doivent être présentés dans la liste ci-dessous:
Numéro du produit de base:
Le numéro d'identification
Format de mémoire:
Le flash
Introduction
Flash - NAND (SLC) mémoire IC 8Gbit parallèle 40 MHz 35 ns 48-TSOP
Produits connexes
![qualité [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif)
Les données sont fournies par les autorités compétentes.
IC FLASH 2GBIT ONFI 63VFBGA
![qualité [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif)
Le numéro de série est le numéro de série de l'appareil
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
![qualité [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif)
Les produits doivent être présentés dans les conditions suivantes:
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
![qualité [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif)
Le nombre d'heures de travail est calculé en fonction du nombre de heures de travail.
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
![qualité [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif)
Les données de l'échantillon sont fournies à l'aide de la méthode suivante:
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
![qualité [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif)
Le nombre d'heures de travail est déterminé par le nombre de heures de travail.
IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
![qualité [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif)
Les produits de la catégorie 1 doivent être présentés dans la catégorie 1 de la présente annexe.
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
![qualité [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif)
Le numéro de série est le W971GG8NB25
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
![qualité [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif)
W9812G6KH-5I
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
![qualité [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif)
Le code de l'établissement est le code de l'établissement.
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
Image | partie # | Définition | |
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![]() |
Les données sont fournies par les autorités compétentes. |
IC FLASH 2GBIT ONFI 63VFBGA
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![]() |
Le numéro de série est le numéro de série de l'appareil |
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
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Les produits doivent être présentés dans les conditions suivantes: |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
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Le nombre d'heures de travail est calculé en fonction du nombre de heures de travail. |
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
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Les données de l'échantillon sont fournies à l'aide de la méthode suivante: |
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
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Le nombre d'heures de travail est déterminé par le nombre de heures de travail. |
IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
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Les produits de la catégorie 1 doivent être présentés dans la catégorie 1 de la présente annexe. |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
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Le numéro de série est le W971GG8NB25 |
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
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W9812G6KH-5I |
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
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Le code de l'établissement est le code de l'établissement. |
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
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