S29VS256RABBHI000
Les spécifications
Catégorie:
Circuits intégrés (CI)
La mémoire
La mémoire
Taille de mémoire:
256Mbit
Statut du produit:
Dépassé
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Plateau
Série:
VS-R
DigiKey est programmable:
Pas vérifié
Interface de mémoire:
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:
60 ans
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Pour les appareils à commande numérique, les caractéristiques suivantes sont applicables:
Type de mémoire:
Non volatils
Mfr:
Cypress Semiconductor Corp
Fréquence d'horloge:
108 MHz
Voltage - alimentation:
1.7V ~ 1.95V
Temps d'accès:
80 NS
Emballage / boîtier:
44-VFBGA
Organisation de la mémoire:
16M x 16
Température de fonctionnement:
-40°C à 85°C (TA)
Technologie:
Flash - Ni même
Numéro du produit de base:
S29VS256
Format de mémoire:
Le flash
Introduction
La fréquence d'écoulement de l'appareil doit être supérieure ou égale à:
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Les données de l'établissement sont fournies à l'autorité compétente de l'État membre où l'établissement est situé.
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![qualité [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif)
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre concerné.
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![qualité [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif)
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre.
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![qualité [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif)
Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:
IC SRAM 72MBIT PAR 165FBGA
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IC SRAM 72MBIT PAR 100TQFP
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Les données de l'échantillon doivent être fournies à l'autorité compétente de l'État membre où l'échantillon est situé.
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II
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Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre.
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Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre.
IC SRAM 72MBIT PAR 165FBGA
![qualité [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif)
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre.
IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA
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