Les produits de la catégorie 1 doivent être soumis à un contrôle de conformité.
Les spécifications
Catégorie:
Circuits intégrés (CI)
La mémoire
La mémoire
Statut du produit:
La dernière fois que j'ai acheté
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Plateau
Série:
Automobile, AEC-Q100
DigiKey est programmable:
Pas vérifié
Interface de mémoire:
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Pour les appareils à commande numérique:
Type de mémoire:
Les produits de base
Mfr:
MoSys, Inc.
Taille de mémoire:
512 Mbit
Voltage - alimentation:
-
Temps d'accès:
3.2 ns
Emballage / boîtier:
288-BGA, FCBGA
Organisation de la mémoire:
128 M x 4
Température de fonctionnement:
-
Technologie:
Les données de base sont les suivantes:
Numéro du produit de base:
Le numéro de série MSQ220
Format de mémoire:
La RAM
Introduction
La mémoire SRAM, RLDRAM IC 512 Mbit parallèle 3,2 ns 288-FCBGA (19x19)
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QPR8-25 GB/S
Image | partie # | Définition | |
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Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure. |
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